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μ PA2719AGR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
30
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
20
V GS = ? 10 V
? 4.5 V
? 4 V
1000
C iss
C oss
C rss
10
0
I D = ? 5 A
Pulsed
100
10
-50
0
50
100
150
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
10000
V DD = ? 15 V
V GS = ? 10 V
-30
I D = ? 10 A
-15
1000
R G = 10 Ω
t d(off)
-20
V DD = ? 24 V
? 15 V
-10
100
t f
t r
? 6 V
10
t d(on)
-10
V GS
-5
V DS
1
0
0
-0.1
-1
-10
-100
0
20
40
60
1000
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Pulsed
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
V GS = 0 V
di/dt = 50 A/ μ s
10
V GS = ? 10 V
0V
100
1
0.1
0.01
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet G19281EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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